您的位置：
除了整形時間常數在0.25到6 μs的范圍之外，半高斯放大器的單極輸出端與ORTEC 572型相同。此輸出端的較長整形時間常數可在低計數率下提供能量分辨率。
在高計數率下，短整形時間常數是實現高處理量的必要條件。Ge輻射探測器中的電荷收集時間變化在如此短的時間常數下通常會嚴重降低能量分辨率。門控積分器通過積分單極脈沖下的區域和設置積分周期解決了這個問題，該積分周期可確保對由Ge輻射探測器中較慢電荷收集產生的較長脈沖進行積分。由此顯著提高了能量分辨率，其處理量約為傳統半高斯整形計數率的四倍。673型門控積分器輸出可在比半高斯整形高得多的計數率下保持出色的分辨率和峰值位置穩定性。
其中的堆積判棄器用來限度地降低由兩個或多個射線在一個放大器脈沖寬度內到達輻射探測器而引起的譜失真。堆積判棄器連接到多通道分析儀的反符合柵極，并為單極或門控積分器輸出端提供保護。前面板開關允許手動或自動調整堆積盤棋器和基線恢復器的噪聲閾值。手動模式適用于晶體管復位前置放大器。
673型適用于電阻反饋前置放大器和晶體管復位前置放大器（TRP）。利用晶體管復位前置放大器，可以在由前置放大器復位引起的過載持續時間內將從前置放大器復位信號得到的邏輯脈沖提供給673型的柵極輸入端。柵極輸入端與GI INH輸出端的堆積判棄器信號進行“或”運算，并被多通道分析儀用來防止分析因復位而失真的脈沖。
單極輸出端還可用作高性能半高斯整形放大器，可與各種類型的輻射探測器結合使用，包括鍺輻射探測器、硅帶電粒子輻射探測器、Si（Li）輻射探測器、正比計數器和閃爍輻射探測器。
